特許
J-GLOBAL ID：200903036547285875
微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006378
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199426
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、200オングストローム以下の薄膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 真空チャンバ1内にて、対向配置された電極間2、3にグロー放電を生起させ、シリコンを主成分とする材料ガスを分解して、基板4上に微結晶シリコン系半導体薄膜を堆積させる際に、両電極間2、3に印加する高周波電力8をパルス的にオン・オフすると共に、基板4にピエゾ振動板9により超音波振動を加える。
請求項（抜粋）：
シリコンを主成分とする材料ガスに高周波電力を印加し、この材料ガスを分解して基板上に微結晶シリコン系半導体膜を堆積させる際に、前記高周波電力をパルス的にオン・オフすると共に、基板に超音波振動を加えることを特徴とする微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, H01L 21/285
, H01L 31/04
H01L 21/205
, C23C 16/24
, H01L 21/285 C
, H01L 31/04 B
