半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212582
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066318
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の実装の際に、半導体装置に加えられる各種ストレスを可及的に減少し得るバンプを具備する半導体装置を提供する。【構成】樹脂製基板10の基板面に設けられた導体パターン12、12・・と、外部の回路基板等との接続が、導体パターン12、12・・に設けられた低融点金属から成るバンプによってなされる半導体装置において、該基板面から柱状に突出した、樹脂製のバンプ基部14の表面を被覆する、導体パターン12、12・・から延出された導体層16の表面が、バンプ基部14を形成する樹脂の融点又は分解温度よりも低温で溶融する金属層18によって被覆されて成るバンプが、樹脂製基板10に形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板面に設けられた導体パターンと、前記基板上に搭載された半導体チップ及び/又は外部の回路基板等との接続が、前記導体パターンに設けられた低融点金属から成るバンプによってなされる半導体装置において、該基板面から柱状に突出した、樹脂製のバンプ基部の表面の少なくとも一部が、前記導体パターンから延出された導体層によって覆われ、且つ前記導体層の表面が、前記バンプ基部を形成する樹脂の融点又は分解温度よりも低温で溶融する、金属層によって被覆されて成るバンプが、前記基板面に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 301 , H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/92 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-207532
特開平2-207532
特開平3-073535

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