特許

J-GLOBAL ID：200903036573001974

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 田中 秀明 ,  下井田 良雄 ,  金子 佐一郎 ,  星 正勝 ,  クライソン トロンナムチャイ ,  林 哲也
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-288652
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318392
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜にかかる電界を緩和可能なヘテロ半導体層を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】N+型炭化珪素基板1の上面に設けたN-型エピタキシャル層2と、その上面に設けたP-型炭化珪素ベース層3と、その上面に設けたN+型ソース層5と、N+型ソース層5およびP-型炭化珪素ベース層3を貫通してN-型エピタキシャル層2にまで達する深さを有する溝4と、溝4内にゲート絶縁膜7を介して充填されるゲート電極8と、N+型ソース層5に接して設けたソース電極10と、N+型炭化珪素基板1の下面に設けたドレイン電極11とを有し、溝4底面のN-型エピタキシャル層2上に設けたヘテロ半導体層13としてポリシリコン層を用い、このポリシリコン層の上にゲート絶縁膜7を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基体中のドレイン領域と、該ドレイン領域と接続されて形成されるドリフト領域と、前記ドリフト領域内に形成されるウエル領域と、前記ウエル領域内に形成されるソース領域と、該ソース領域および前記ウエル領域を貫通して前記ドリフト領域にまで達する深さを有する第1の溝と、該第1の溝の下部に充填したヘテロ半導体層と、該へテロ半導体層上及び前記第1の溝の側面に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記第1の溝に充填されるゲート電極と、前記ドレイン領域に接続するドレイン電極と、前記ソース領域に接続するソース電極とを具備することを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化けい素縦型MOSFETおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036080   出願人：富士電機株式会社