特許
J-GLOBAL ID：200903036590860271
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059218
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256599
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 AlGaInP系化合物半導体により発光層が形成され、ウインドウ層としてGaPが用いられる半導体発光素子において、ウインドウ層の膜厚を薄くして半導体層の成長時間を短くすることができると共に、電流を充分に拡散させて発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層6と、該ウインドウ層に電気的に接続して設けられる電極8とを備える半導体発光素子であって、前記電極と前記ウインドウ層との間に該ウインドウ層の全面に亘って金属薄膜からなる電流拡散層7が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層と、該ウインドウ層に電気的に接続して設けられる電極とを備える半導体発光素子であって、前記電極と前記ウインドウ層との間に該ウインドウ層の全面に亘って金属薄膜からなる電流拡散層が設けられてなる半導体発光素子。
引用特許：
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