特許
J-GLOBAL ID：200903072768287771
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253171
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106633
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 同一面側に形成された電極側を発光観測面とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、パッド電極のマイグレーションによるp層の透光性オーミック電極の変質を防ぎ、オーミック特性を維持するとともに、透光性電極の透光性を維持し外部量子効率を低下させない。【構成】 p層3の電極が、p層3のほぼ全面に形成されたオーミック用の透光性の第一の電極11と、第一の電極11の表面に形成されたボンディング用の第二の電極12(パッド電極)とからなり、前記第二の電極12の材料をAu単体、またはAuを含みAlもしくはCrを含まない合金とすることにより、第一の電極11の透光性を維持し、さらに第一の電極11とp層3とのオーミック特性を維持する。
請求項（抜粋）：
同一面側にn層の電極とp層の電極とが形成されており、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p層の電極が、p層のほぼ全面に形成された透光性の第一の電極と、前記第一の電極の表面に形成されたボンディング用の第二の電極とからなり、前記第二の電極は、Au単体、または、Auを含みAlもしくはCrを含まない合金よりなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
引用特許：
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