特許
J-GLOBAL ID：200903036594054849

電子材料用Cu-Ni-Si系合金

発明者：
大久保 光浩

大久保 光浩 について


出願人/特許権者：
日鉱金属株式会社

日鉱金属株式会社 について


代理人 (1件)： アクシス国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-093888
公開番号（公開出願番号）：特開2009-242926
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】Ni-Si化合物粒子の分布状態を制御することでコルソン系合金の特性向上を図る。【解決手段】Ni:0.4〜6.0質量%、Si:0.1〜2.0質量%を含有し、残部Cuおよび不可避的不純物から構成される電子材料用銅合金であって、粒径が0.01μm以上で0.05μm未満であるNi-Si化合物小粒子と、粒径が0.05μm以上で5.0μm未満であるNi-Si化合物大粒子が存在しており、小粒子の個数密度が1mm2当たり106-1010個であり、大粒子の個数密度が前記小粒子の個数密度と比べて1/10000〜1/10である電子材料用銅合金。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Ni:0.4〜6.0質量%、Si:0.1〜2.0質量%を含有し、残部Cuおよび不可避的不純物から構成される電子材料用銅合金であって、粒径が0.01μm以上で0.05μm未満であるNi-Si化合物小粒子と、粒径が0.05μm以上で5.0μm未満であるNi-Si化合物大粒子が存在しており、小粒子の個数密度が1mm2当たり106-1010個であり、大粒子の個数密度が前記小粒子の個数密度と比べて1/10000〜1/10である電子材料用銅合金。
IPC (8件)：
C22C 9/06 ,  C22C 9/10 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  H01L 23/48
FI (8件)：
C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  H01L23/48 V
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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