特許
J-GLOBAL ID：200903036625688159
後で除去されるシリカ層を形成する方法、および集積光構成部品を実装する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227021
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 基礎構造を保護するとともに、上部シリカ層の付着(Deposition)コストを低減する。【解決手段】 集積光構成部品を実装する方法において、開始基礎構造はシリカの下部閉じ込め層と後で構成される光ウェーブガイドのコアを含んでいる。この基礎構造は整合受面を含んでおり、実装すべき構成部品をこれらのウェーブガイドと後で整合することができるようになっている。シリコンのバリア層が受面に付着される。次いで、フレーム加水分解付着を使用して、ウェーブガイドの上部閉じ込め層を構成するために上部シリカ層を付着させる。ただし、このシリカ層は整合受面も覆っている。このため、受面の領域を反応性イオンエッチングによってエッチングして受面を露出させても、該受面はバリア層によって保護される。次いで、実装すべき構成部品が受面に関して配置される。
請求項（抜粋）：
- シリカの層を除去できるが、シリコンの層を除去できないシリカ・エッチング処理を規定するステップと、- 基礎構造にシリコンのバリア層を付着させるステップと、- シリカのフレーム加水分解付着に必要な温度よりも低い温度で前記バリア層上に保護シリカ層を形成するステップと、- 前記保護シリカ層上に形成されるシリカ層をフレーム加水分解付着させるステップとを含んでおり、このようにして付着されたシリカ層が上部シリカ層を構成するので、前記エッチング処理がその後、前記基礎構造を損傷することなく、前記上部シリカ層を少なくとも局部的に除去できることを特徴とする後で除去されるシリカの層を形成する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 6/12 M
, H01L 21/302 J
