特許
J-GLOBAL ID：200903036626904459

ナノ結晶でドープしたマトリックス

発明者：
ジェイ.・ウォレス・パース

ジェイ.・ウォレス・パース について

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ポール・バーナティス

ポール・バーナティス について

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ロバート・ダブロウ

ロバート・ダブロウ について

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ウィリアム・ピー.・フリーマン

ウィリアム・ピー.・フリーマン について

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ジョエル・ガモラス

ジョエル・ガモラス について

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シハイ・カン

シハイ・カン について

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アンドレアス・マイゼル

アンドレアス・マイゼル について

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バイシン・チャン

バイシン・チャン について

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ジェフリー・エー.・ホワイトフォード

ジェフリー・エー.・ホワイトフォード について

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ジョナサン・ジーバース

ジョナサン・ジーバース について


出願人/特許権者：
ナノシス・インク.

ナノシス・インク. について


代理人 (2件)： 小川 孝文 ,  川原田 一穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-521794
公開番号（公開出願番号）：特表2009-544805
出願日： 2007年07月23日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
半導体ナノ結晶でドープしたマトリックスが提示されている。特定の実施形態において、半導体ナノ結晶は特定の波長で光を吸収または放出するような粒径および組成物を持つ。ナノ結晶には、マトリックスによる光の散乱が最小となるように、高分子を含むさまざまなマトリックス材料の混合を可能にするリガンドを含みうる。本発明のマトリックスはまた、屈折率整合の用途にも利用できる。別の実施形態において、半導体ナノ結晶はマトリックス内に埋め込みナノ結晶の密度勾配を形成することで有効屈折率勾配を生む。本発明のマトリックスはまた、光学装置へのフィルタや反射防止コーティングとして、また逓降変換層としても使用できる。また、半導体ナノ結晶を含むマトリックスを生成する過程が提示されている。高量子効率、小さな粒径、および/または狭い粒径分布を備えるナノ構造のほか、リン化インジウムナノ構造およびコアシェルナノ構造をII-VI族シェルにより生成する方法も記述されている。多様な新規ナノ構造リガンドについても記述している。
請求項（抜粋）：
ナノ構造の集団を含んだ組成物であって、前記集団が50%以上の量子効率を示し、員ナノ構造がコアおよびシェルを含み、前記コアがCd含有コアまたはPb含有コア以外である前記組成物。
IPC (14件)：
C09K 11/08 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 33/00 ,  C09K 11/56 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/00 ,  C07F 7/08 ,  C07C 57/13 ,  C01B 25/08 ,  C01G 9/08 ,  C01G 9/00 ,  C01G 11/00 ,  C01G 15/00
FI (18件)：
C09K11/08 G ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L33/00 300 ,  H01L33/00 410 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  C09K11/08 J ,  C09K11/00 C ,  C07F7/08 Y ,  C07F7/08 X ,  C07C57/13 ,  C01B25/08 A ,  C01G9/08 ,  C01G9/00 Z ,  C01G11/00 ,  C01G15/00 B ,  C01B25/08 Z
Fターム (36件)：
4G047AA07 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04 ,  4H001CA05 ,  4H001CC13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA49 ,  4H006AA03 ,  4H006AB82 ,  4H006AB92 ,  4H006BS10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VP04 ,  4H049VP05 ,  4H049VP07 ,  4H049VP09 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ25 ,  4H049VQ78 ,  4H049VQ79 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VR42 ,  4H049VU29 ,  4H049VU36 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CB36 ,  5F041DA18 ,  5F041DB01 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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