特許
J-GLOBAL ID：200903036627037490
不揮発性記憶装置の制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044708
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258583
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】フラッシュ型不揮発性記憶装置において、複数のメモリセルを一括して消去した後各メモリセルの消去しきい値のバラツキを抑制する効果の大きい消去動作方法に関する。【構成】複数のメモリセルを同時に一括して消去する際、最初に制御ゲートに負電圧、ソースに正電圧を印加して浮遊ゲートから電子を引き抜く。その際、メモリセルのしきい値を最も消去の遅いセルのしきい値が、装置の消去しきい値レベルよりも低くなるまで、一度過剰消去しておき、しかる後に制御ゲートに所定の正電圧を印加する。その結果、過剰消去されたメモリセルには、浮遊ゲートに電子が半導体基板側から注入され、それによってメモリセルのしきい値は、正方向にシフトし一定値に収束する。
請求項（抜粋）：
ソース・ドレインと前記ソース・ドレイン間の浮遊ゲート及び制御ゲートより成る積層ゲートにより構成される複数の記憶素子を有する不揮発性記憶装置に対し、前記不揮発性記憶装置は電気的に書き込み、さらに電気的に複数の記憶素子を同時に消去することを特徴とし、電気的に複数の記憶素子を同時に消去する際には、所定の電圧の電気パルスを消去する複数の記憶素子に同時に印加することにより、記憶素子のしきい値を、一度予め設定した消去しきい値以下にし、その後制御ゲートに正電圧を印加して記憶素子のしきい値を高めることで、予め設定した消去しきい値に揃えることを特徴とする不揮発性記憶装置の制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
