特許
J-GLOBAL ID:200903036631425143
半導体加工チャンバとその制御方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
村瀬 一美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-003360
公開番号(公開出願番号):特開2001-196313
出願日: 2000年01月12日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】 半導体の加工工程でより正確な圧力測定と制御を可能にする。【解決手段】 ガス導入口71が設けられ且つウエハ58が配置される第1のチャンバ53と、ガス排出手段62に接続された第2のチャンバ54と、第1のチャンバ53と第2のチャンバ54とを画するバッフル部材52と、該バッフル部材52に少なくとも一つ設けられたガス流通用開口と、該ガス流通用開口の開口面積を調節する制御手段を備えている。
請求項(抜粋):
ガス導入口が設けられ且つウエハが配置される第1のチャンバと、ガス排出手段に接続された第2のチャンバと、前記第1のチャンバと第2のチャンバとを画するバッフル部材と、該バッフル部材に少なくとも一つ設けられたガス流通用開口と、該ガス流通用開口の開口面積を調節する制御手段を備えることを特徴とする半導体加工チャンバ。
IPC (4件):
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, C23C 16/455
FI (4件):
H01L 21/205
, H01L 21/31 B
, C23C 16/455
, H01L 21/302 B
Fターム (26件):
4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030KA08
, 4K030KA11
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F004AA15
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CB01
, 5F045AA06
, 5F045AA08
, 5F045BB14
, 5F045EB02
, 5F045EE04
, 5F045EF20
, 5F045EG02
, 5F045EG06
, 5F045GB02
, 5F045GB15
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-050125
出願人:株式会社日立製作所
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