特許
J-GLOBAL ID:200903036667841852
レーザダイオードモジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
五十嵐 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-356126
公開番号(公開出願番号):特開2001-215372
出願日: 2000年11月22日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】【課題】 高温環境下においても、レーザダイオードと光ファイバの光結合効率の低下を許容範囲内に抑えることができるレーザダイオードモジュールを提供する。【解決手段】 レーザダイオード1がマウントされたベース2が直接、あるいは電子冷却素子3を介してパッケージ4の基板部4aに接合され、光ファイバ5が前記レーザダイオード1に光結合されたレーザダイオードモジュールである。パッケージ4の基板部4aの材料と、該基板部4aに接合するベース2もしくは電子冷却素子3の基板3a,3bとの線膨張率差を1.0×10-6/°C以下とする。
請求項(抜粋):
レーザダイオードがマウントされたマウント基台がパッケージ内に収容され、該マウント基台が直接、あるいは電子冷却素子を介してパッケージの基板部に接合され、レーザダイオードから出力された光を光ファイバに光結合するレーザダイオードモジュールにおいて、パッケージの基板部と、該基板部に接合するマウント基台もしくは電子冷却素子の基板との線膨張率差が1.0×10-6/°C以下に設定されていることを特徴とするレーザダイオードモジュール。
IPC (4件):
G02B 6/42
, H01S 5/022
, H01S 5/024
, H05K 7/20
FI (4件):
G02B 6/42
, H01S 5/022
, H01S 5/024
, H05K 7/20 S
Fターム (23件):
2H037BA03
, 2H037CA08
, 2H037CA37
, 2H037DA04
, 2H037DA17
, 2H037DA35
, 2H037DA38
, 5E322AA11
, 5E322AB07
, 5E322AB09
, 5E322AB10
, 5E322DC01
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA01
, 5F073EA15
, 5F073EA28
, 5F073EA29
, 5F073FA02
, 5F073FA06
, 5F073FA15
, 5F073FA22
, 5F073FA25
引用特許:
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