特許

J-GLOBAL ID：200903036671569520

窒化ガリウム系半導体発光素子

発明者： 毛利 裕一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124702
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体発光素子において、歪みに起因する素子劣化を抑制し、信頼性が良好な発光素子を提供する。【解決手段】 素子構造を構成するGaN層のa軸格子歪み量εを、-0.16≦ε≦-0.01%の範囲とする。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上にn型層、発光層、p型層を有する積層構造を含み、該積層構造には1つ以上のGaN層を含む窒化ガリウム系半導体発光素子において、該GaN層の平均的なa軸格子歪み量εが、-0.16≦ε≦-0.01%であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (16件)：

5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA30 ,  5F073EA05 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002565   出願人：ソニー株式会社