特許
J-GLOBAL ID：200903010512997075
窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002565
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204885
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層13を窒化物系III-V族化合物半導体以外の材料からなる基板11上に化学気相成長法により成長させる場合に、成長原料のV/III比を8000以上、好ましくは10000以上、より好ましくは11000以上にする。また、Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層17を窒化物系III-V族化合物半導体以外の材料からなる基板11上に化学気相成長法により成長させる場合には、成長原料のV/III比を10000以上、好ましくは13000以上、より好ましくは14000以上にする。
請求項（抜粋）：
Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を基板上に化学気相成長法により成長させるようにした窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法において、上記窒化物系III-V族化合物半導体層を構成するIII族元素の原料の供給量に対する上記窒化物系III-V族化合物半導体層を構成するV族元素の原料の供給量のモル比を8000以上にして上記窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させるようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法。
IPC (7件)：
H01S 3/18
, C30B 29/40 502
, H01L 21/205
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
H01S 3/18
, C30B 29/40 502 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 29/80 H
