特許
J-GLOBAL ID：200903036713289884
露光方法及び該方法を用いたデバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087873
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284377
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 縦横比の異なるパターンの像を高い寸法制御精度で基板上に露光できる露光方法を提供する。【解決手段】 レチクルパターンを短手方向(X方向)の形状を規定する第1パターン36と、長手方向(Y方向)の形状を規定する第2パターン38とに分解する。第1パターン36を構成する遮光パターン37の長手方向の長さL2は、もとのレチクルパターンのY方向の長さより長く設定する。第2パターン38は、2つの開口パターン39A,39BをY方向に間隔L3で配置したパターンであり、間隔L3はもとのレチクルパターンのY方向の長さ以上で、且つ長さL2より狭く設定し、第1パターン36の像、及び第2パターン38の像を重ねて露光する。
請求項（抜粋）：
所定の露光光、又は荷電粒子線のもとで縦横比の異なるマスクパターンの像を所定の基板上に転写する露光方法において、前記マスクパターンより該マスクパターンの短手方向の形状を制限する第1パターンと、前記マスクパターンの長手方向の形状を制限する第2パターンとを生成し、前記第1パターンの像及び前記第2パターンの像を前記基板上に重ねて露光することを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 502 C
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 541 W
