特許

J-GLOBAL ID：200903036714485245

多孔チューブ状被処理基材及びその処理方法並びに多 孔チューブ状被処理基材の処理装置

発明者： 野見山 弘章 ,  廣田 茂
出願人/特許権者： 川澄化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340317
公開番号（公開出願番号）：特開平8-183107
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】多孔チューブ状被処理基材4を大気圧近傍の圧力下において、グロー放電を安定に発生させるガス若しくは処理ガス若しくはグロー放電を安定に発生させるガスと処理ガスとの混合ガスの雰囲気中、または混合ガスを連続的に導入しながら、交流電圧を印加し、大気圧グロープラズマ処理を行なうことにより、多孔チューブ状被処理基材4の内面を表面改質する多孔チューブ状被処理基材4の処理方法。【効果】プラズマ領域、及び容器内を高真空下に保つことなく、グロー放電を安定に発生させるガス雰囲気中で、大気圧近傍の圧力下に、交流電圧を印加し、グロープラズマ領域を形成し、プラズマ開始重合、プラズマCVD、プラズマグラフト重合等の処理を行なう。

請求項（抜粋）：

多孔チューブ状被処理基材を大気圧近傍の圧力下において、グロー放電を安定に発生させるガス若しくは処理ガス若しくはグロー放電を安定に発生させるガスと処理ガスとの混合ガスの雰囲気中、または前記混合ガスを連続的に導入しながら、交流電圧を印加し、大気圧グロープラズマ処理を行なうことにより、多孔チューブ状被処理基材の内面を表面改質することを特徴とする多孔チューブ状被処理基材の処理方法。

IPC (3件)：

B29C 71/04 ,  C08J 7/00 306 ,  B29L 23:00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 表面処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097072   出願人：株式会社ブリヂストン, 岡崎幸子, 小駒益弘