特許

J-GLOBAL ID：200903036719015247

タンタルを含む高誘電体膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263431
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】リーク特性や耐圧を一層改善することができるTaを含む高誘電体膜の形成方法を提供する。【構成】高誘電体膜の形成方法は、タンタル(Ta)を含む高誘電体膜を基体上に形成した後、少なくとも窒素(N)を含むガスを用いて高誘電体膜にプラズマ処理を行う。あるいは又、少なくとも窒素(N)を含むガス、並びにタンタル(Ta)を含むガスを原料ガスとして用い、タンタル(Ta)を含む高誘電体膜を基体上にCVD法にて形成する。

請求項（抜粋）：

タンタルを含む高誘電体膜を基体上に形成した後、少なくとも窒素を含むガスを用いて該高誘電体膜にプラズマ処理を行うことを特徴とする高誘電体膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/314 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-367515
  
• 特開平2-250970
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027061   出願人：日本電気株式会社