タンタルを含む高誘電体膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263431
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】リーク特性や耐圧を一層改善することができるTaを含む高誘電体膜の形成方法を提供する。【構成】高誘電体膜の形成方法は、タンタル(Ta)を含む高誘電体膜を基体上に形成した後、少なくとも窒素(N)を含むガスを用いて高誘電体膜にプラズマ処理を行う。あるいは又、少なくとも窒素(N)を含むガス、並びにタンタル(Ta)を含むガスを原料ガスとして用い、タンタル(Ta)を含む高誘電体膜を基体上にCVD法にて形成する。

請求項（抜粋）：