GaN単結晶基板の劈開性の判定方法とGaN単結晶基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-104129
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299741
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 GaNウエハを実際に劈開することなく劈開性の良否を非破壊で判定する方法を与えること。【解決手段】 GaNウエハの光弾性効果を測定して、歪値C(σ1-σ2)が5×10-5以下であれば劈開性が良好であり、これを越えると劈開性不良と判定する。

請求項（抜粋）：

GaN単結晶基板の全面に単色光をあて光弾性効果によって歪値を測定し、測定した歪値の面内での最大値が、5×10-5以下であれば劈開性が良好であると判定し、5×10-5を越えれば劈開性が不良であると判定することを特徴とするGaN単結晶基板の劈開性の判定方法。

IPC (4件)：

H01S 5/02 , C30B 29/38 , H01L 21/66 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01S 5/02 , C30B 29/38 D , H01L 21/66 L , H01S 5/323 610

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AB10 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CB30 , 5F073DA32 , 5F073HA10 , 5F073HA11 , 5F073HA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

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