特許
J-GLOBAL ID：200903036729495921
不揮発性強誘電体メモリ及びその制御回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348289
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297076
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 回路構造を単純化し、アクセス時間が速く、非破壊読出しモードが可能な不揮発性強誘電体メモリ及びその制御回路を提供する。【解決手段】 不揮発性強誘電体メモリは、駆動信号を印加するためのワードラインと、データ信号を印加するためのビットライン及びビットバーラインと、データを格納する強誘電体キャパシタと、ワードラインへの制御信号により強誘電体キャパシタの両端とビットライン/ビットバーラインとの間をそれぞれスイッチングする第1、第2スイッチング素子と、キャパシタの両端電圧の電圧差を増幅させる増幅部とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
駆動信号を印加するためのワードラインと、データ信号を印加するためのビットライン及びビットバーラインと、データを格納する強誘電体キャパシタと、ワードラインへの制御信号により強誘電体キャパシタの両端とビットライン/ビットバーラインとの間をそれぞれスイッチングする第1、第2スイッチング素子と、キャパシタの両端電圧の電圧差を増幅させる増幅部とを備えることを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
