特許
J-GLOBAL ID:200903036741796929

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-336294
公開番号(公開出願番号):特開2000-164570
出願日: 1998年11月26日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 反応容器の内壁面の長寿命化が図れるプラズマ処理装置。【解決手段】 反応容器11内側上壁11a,内側下壁11b及び外側壁11cを連結して構成してあり、内側に反応室12を形成している。内側下壁11bの内壁面には絶縁膜であるアルマイト膜1が形成されており、内側下壁11bの内側試料搬送口21bのエッジ部分と、下端部110のエッジ部分には絶縁膜であるアルミナ膜2が夫々形成されている。エッジ部分の絶縁膜はアルマイト膜1とアルミナ膜2とが積層された厚みを有しているので、電界集中が緩和される。これにより、エッジ部分のスパッタ過剰が防止されて容器の長寿命化が図られる。
請求項(抜粋):
容器内に高周波を印加し、プラズマにより試料を処理するプラズマ処理装置において、前記容器は内壁面を絶縁膜により被覆してあり、前記内壁面のうち、エッジ部分に他の部分と比較して前記絶縁膜を厚く形成してあることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (4件):
H01L 21/302 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B
Fターム (21件):
5F004AA13 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F045AA09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB05 ,  5F045EC05 ,  5F045EH03 ,  5F045EN01
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-084337   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 特開平4-363021
  • 特開平3-047981
審査官引用 (5件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-084337   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 特開平4-363021
  • 特開平3-047981
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