特許

J-GLOBAL ID：200903036753561765

位相シフトマスク

発明者： 菅原 稔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235561
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064273
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 微細構造で繰返し配置の矩形状孤立パターンを形成するのに適した位相シフトマスクを提供する。【構成】 位相シフトマスクには、第一の光透過領域10を成す正方矩形状のパターンと、第一の光透過領域からの透過光と180度の位相差を有する透過光を与える第二の光透過領域11を成す正方矩形状のパターンとが、光透過領域のパターン幅とパターン中心間隔の比率が約1:2となるように、交互にかつ繰り返し配置される。双方の領域10、11を透過した光の干渉により、パターン外の光強度を低下させて解像度を向上させる。また、従来はパターン形成に有害であったサイドローブ光が、隣接するパターンのメインローブ光の強度を高めるので、逆に良好なパターン形成に寄与する。特に微細構造の繰り返しパターンである半導体集積回路のコンタクトホールの作製に適用できる。

請求項（抜粋）：

遮光領域、第一の光透過領域、及び、前記第一の光透過領域からの透過光と相対的に位相が180度異なる透過光を与える第二の光透過領域を含む位相シフトマスクにおいて、前記第一の光透過領域及び前記第二の光透過領域を夫々形成する各パターンが、略同一の矩形状を成し、かつ縦及び横方向に交互に配列されていることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-146617
  
• 位相シフトレチクルと位相シフト露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-259273   出願人：富士通株式会社
• 微細パタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-056705   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-146617