特許

J-GLOBAL ID：200903036756419765

レジストパターン形成方法

発明者： 細野 隆之
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347464
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159874
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】パターンの転写再現性に優れ、かつ高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、支持体上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しフォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎のレジスト膜の露光部幅は、前記フォトマスクの透光部幅よりも大きいことを特徴とするレジストパターン形成方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しフォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、 前記選択的露光毎のレジスト膜の露光部幅は、前記フォトマスクの透光部幅よりも大きいことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/30 502C ,  H01L21/30 514A

Fターム (18件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA04 ,  2H025FA17 ,  5F046AA13 ,  5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社