電界放射陰極装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221942
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087957
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】電界放射陰極素子のエミッタ電子流放射量を電界効果トランジスタ10の定電流特性を用いて一定化させる電界放射陰極装置を提供する。【構成】シリコン基板1上に設けられた円錐形エミッタ3と、シリコン基板1上に配置され、円錐形エミッタ3を取り囲むように設けられた絶縁層4と、絶縁層4の表面に設けられたゲート層5とで構成された1つ以上の電界放射陰極素子と、電界放射陰極素子に対応してシリコン基板1上に形成された電界効果トランジスタ10とからなり、シリコン基板1内で電界放射陰極素子のエミッタ3と電界効果トランジスタ10のドレイン6が接続され、電界効果トランジスタ10のゲート・ソース間に供給される制御電圧Vgsにより、電界放射陰極素子のエミッタ電子流放射が制御される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に設けられた円錐形エミッタと、前記シリコン基板上に配置され、前記円錐形エミッタを取り囲むように設けられた絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられたゲート層とで構成された1つ以上の電界放射陰極素子と、前記電界放射陰極素子に対応して前記シリコン基板上に形成された電界効果トランジスタとからなり、前記シリコン基板内で前記電界放射陰極素子のエミッタと前記電界効果トランジスタのドレインが接続され、前記電界効果トランジスタのゲート・ソース間に供給される制御電圧により、前記電界放射陰極素子のエミッタ電子流放射が制御されることを特徴とする電界放射陰極装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特表平4-506435
特開平3-295138
電界放出陰極装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330599 出願人：富士通株式会社

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