特許
J-GLOBAL ID:200903036791355486

半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 下田 容一郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-283093
公開番号(公開出願番号):特開平7-142439
出願日: 1993年11月12日
公開日(公表日): 1995年06月02日
要約:
【要約】【目的】 オリエンテーションフラット部を含めて半導体ウェーハの全周を効率よく洗浄する。【構成】 洗浄ヘッド4は上下の舌状片5,6間に半導体ウェーハWの周縁部が入り込むとともに排気装置につながる溝部7を形成し、舌状片5,6には洗浄液供給チューブ8,9をコネクタ8a,9aにて連結し、これらチューブ8,9から供給される洗浄液をノズル孔10,11を介して半導体ウェーハWの周縁部に噴出するようにしている。
請求項(抜粋):
外周の一部を切り落として位置決め用のオリエンテーションフラット部を形成した半導体ウェーハの洗浄装置において、この洗浄装置は半導体ウェーハを吸着して回転せしめるチャックと、このチャックを収納する洗浄カップと、半導体ウェーハの周縁部を洗浄する洗浄ヘッドと、オリエンテーションフラット部を検出するセンサを備えてなり、洗浄ヘッドはチャックに向かって進退可能でオリエンテーションフラット部に沿って移動可能とされ、更に洗浄ヘッドには半導体ウェーハの周縁部が入り込む溝部が形成され、この溝部は排気装置につながっていることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄装置。
IPC (3件):
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 処理装置及び処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-219464   出願人:東京エレクトロン株式会社

前のページに戻る