特許
J-GLOBAL ID:200903036810047976

電子部品洗浄用超純水,洗浄方法および超純水の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伴 俊光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-145050
公開番号(公開出願番号):特開2002-336853
出願日: 2001年05月15日
公開日(公表日): 2002年11月26日
要約:
【要約】【課題】 半導体デバイスの物性に対する影響が懸念されているアミン類について、シリコンウエハ等の電子部品上に残存する量を低減できる、電子部品洗浄用の超純水およびその超純水の製造方法並びにその超純水を用いた洗浄方法を提供する。【解決手段】 電子部品を洗浄する水であって、アミン類の濃度を1μg/l以下に、とくにトリメチルアミンの濃度を0.05μg/l以下に低減した電子部品洗浄用超純水、それを用いた洗浄方法および超純水の製造方法。
請求項(抜粋):
電子部品を洗浄する水であって、アミン類の濃度を1μg/l以下に低減したことを特徴とする電子部品洗浄用超純水。
IPC (5件):
C02F 1/42 ,  B01D 61/02 500 ,  B01D 61/14 500 ,  B01J 47/12 ,  C02F 1/44
FI (6件):
C02F 1/42 B ,  B01D 61/02 500 ,  B01D 61/14 500 ,  B01J 47/12 C ,  B01J 47/12 E ,  C02F 1/44 J
Fターム (33件):
4D006GA03 ,  4D006GA06 ,  4D006KA01 ,  4D006KA52 ,  4D006KA55 ,  4D006KA57 ,  4D006KB04 ,  4D006KB11 ,  4D006KE13R ,  4D006MA01 ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA04 ,  4D006MC18 ,  4D006MC33 ,  4D006MC54 ,  4D006MC55 ,  4D006MC62 ,  4D006MC75 ,  4D006MC78 ,  4D006PA01 ,  4D006PB02 ,  4D006PB70 ,  4D006PC02 ,  4D025AA04 ,  4D025AB02 ,  4D025AB36 ,  4D025BA08 ,  4D025BA22 ,  4D025BA25 ,  4D025BA27 ,  4D025DA04 ,  4D025DA05
引用特許:
審査官引用 (3件)

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