特許

J-GLOBAL ID：200903036825875565

絶縁膜生成方法およびその装置

発明者： 石田 正 ,  増尾 純一
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240617
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059922
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 低温度の基板上に高品位の絶縁膜を比較的に容易に生成する。【解決手段】 基板Wから離れて配設されたフィラメント8から発せられる熱により、原料ガスを分解して基板W上に絶縁膜を堆積させる。その後に、基板Wの周囲に発生させたプラズマで放電ガスをイオン化し、そのイオン化された放電ガスで絶縁膜表面にイオン衝撃を与えることにより、絶縁膜の密度を高める。

請求項（抜粋）：

基板から離れて配設された熱源から発せられる熱により原料ガスを分解して基板上に絶縁膜を堆積させる膜堆積過程と、前記基板上の絶縁膜表面にイオン衝撃を与えるイオン衝撃過程とを備えたことを特徴とする絶縁膜生成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31 C

Fターム (31件)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA17 ,  4K030JA10 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC09 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AE15 ,  5F045BB07 ,  5F045DC66 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045HA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-012664   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-239320