特許

J-GLOBAL ID：200903036851182764

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 渡邉 衛 ,  原口 秀夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-222507
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043289
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 ガス供給手段を構成する金属部品による汚染、ダスト発生を低減でき、かつ均一なガス供給により処理性能の均一性を向上できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に制御しながら、コイルまたはアンテナ2に高周波電源3から高周波電圧を印加することにより誘電板4を介して真空容器1内に電磁波を導入して、プラズマ9を発生させ、電極5上の基板6を処理するプラズマ処理方法及び装置において、大面積に対応するように配置された複数の誘電板4の内部に形成したガス供給通路11を通してガスを真空容器1内に均一に導入するようにした。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に制御しながら、コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加することにより誘電板を介して真空容器内に電磁波を導入することによってプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法において、誘電板の内部を通してガスを真空容器内に導入することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

Fターム (26件)：

4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA04 ,  4K030KA20 ,  4K030KA46 ,  4K057DA01 ,  4K057DD01 ,  4K057DM05 ,  4K057DM10 ,  4K057DM19 ,  4K057DM37 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045EF20 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 大きな領域の基板のプラズマ処理のためのシステム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-506697   出願人：チャン,チュン
• 特開平4-302429
  
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183067   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-302429