特許
J-GLOBAL ID：200903052357570269
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183067
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027782
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 高真空で大面積にわたり高密度プラズマを発生させることが可能で、耐久性と印加電力効率に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 高周波誘導結合用コイル6,17に高周波電力を印加することにより真空室3,18内にプラズマを発生させて基板8,20を処理するプラズマ処理装置及び方法で、複数の貫通窓30,40,63を形成した金属よりなる梁2,62又は枠体13を設けるとともに、上記複数の貫通窓を閉塞する抵抗加熱ヒータ4,15付きの第1誘電板1,14を配置して真空室を封止し、上記第1誘電板の上に第2誘電板5などの絶縁層を介して高周波誘導結合用コイル6,17を配置している。
請求項（抜粋）：
真空室(3)の一面が、金属製の梁(2,62)で支えられた誘電板(1)で封止され、上記誘電板上に沿って絶縁層(5,51)を介して配置されている高周波誘導結合用コイル(6)に高周波電圧を印加することにより、真空室内にプラズマを発生させて基板(8)を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 L
