特許
J-GLOBAL ID：200903036882798747
局在プラズモン共鳴センサーユニット、およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-311610
公開番号（公開出願番号）：特開2009-133787
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】本発明は、感度の高い局在プラズモン共鳴センサーを構成するセンサーユニットを簡便に製造し得る方法、当該製造方法によって得られる局在プラズモン共鳴センサーユニットを提供する。【解決手段】本発明にかかる製造方法は、表面に凹部を複数有する高分子フィルムの表面に金属層が形成されてなる局在プラズモン共鳴センサーユニットの製造方法であって、ブロック共重合体を発泡させて凹部を複数有する高分子フィルムを製造する高分子フィルム製造工程、および当該凹部を複数有する高分子フィルムの表面に金属層を形成する金属層形成工程を含む。上記製造方法によって製造された局在プラズモン共鳴センサーユニット(1)は、複数の凹部を有する高分子フィルム(101)と、当該凹部の表面および高分子フィルムの凹部が形成されている側の表面に金属層(102)が形成されてなるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に複数の凹部を有する高分子フィルムの少なくとも凹部表面に金属層が形成されてなる局在プラズモン共鳴センサーユニットであって、
上記凹部を複数有する高分子フィルムは、ブロック共重合体を発泡させて得られたものであることを特徴とする局在プラズモン共鳴センサーユニット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N21/27 C
, G01N33/543 595
2G059AA05
, 2G059AA06
, 2G059BB04
, 2G059BB11
, 2G059BB12
, 2G059DD03
, 2G059DD12
, 2G059DD13
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE12
, 2G059FF07
, 2G059GG10
, 2G059HH02
, 2G059JJ05
, 2G059JJ11
, 2G059MM01
, 2G059MM04
, 2G059MM10
