特許

J-GLOBAL ID：200903036884699622

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにエッチングガスによる加工方法

発明者： 日良 康夫 ,  鳥羽 環 ,  今山 寛隆 ,  大川 貴子 ,  藤沢 政泰 ,  名手 和男 ,  薗部 秀樹 ,  鈴木 三郎 ,  戸川 衛星 ,  石崎 浩 ,  萩原 芳樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270178
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162950
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【目的】 磁気ヘッドと磁気ディスクの間の浮上量のばらつきが小さい磁気ヘッド浮上面レールの形状とその製造方法を提供する。【構成】 浮上面レールのレール断面傾斜角を55度〜85度にする。その製造方法としてイオンミリングを用い、基板を角度15度〜60度に傾斜させるとともに回転させ、イオンミリングガスとしてC2H2F4等のフッ化炭化水素ガス単独または該フッ化炭化水素ガスとAr、該フッ化炭化水素ガスとSF6等の混合ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

非直線形状の浮上面レールを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記浮上面レールの浮上面における空気流出側の素子形成部端面を、浮上面レールを形成する際のイオンミリング加工により、長さ3〜40μm、深さ1〜50μm面取り除去されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G11B 5/60 ,  B23K 15/00 508

FI (5件)：

H01L 21/302 D ,  C23F 4/00 C ,  C23F 4/00 E ,  G11B 5/60 Y ,  B23K 15/00 508

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-364217
  
• 特開昭62-165724
  
• 磁気ヘツド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275811   出願人：アルプス電気株式会社
• 特開昭61-278087