特許
J-GLOBAL ID：200903036890546838

真空処理装置および真空処理方法

発明者：
三島 由幸

三島 由幸 について

, 
江島 泰蔵

江島 泰蔵 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032325
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227874
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、上部電極板の寿命を延ばし、ランニングコストの低減を図り、かつ、稼働率の向上を図る真空処理装置を得ることを目的とする。【構成】 有底円筒状の上部電極6が真空容器1内に下部電極2と相対して配設されている。そして、アルミからなる上部電極板20が上部電極6の開口を塞口するように上部電極6に取り付けられている。この上部電極板20には、鍔付き円筒状のアルミナピースが複数埋め込まれて複数のガス穴8が形成され、さらに上下両面にアルミナコーティング膜がコーティングされている。この時、アルミナピースの両端面と上部電極板20の上下両面とはそれぞれ同一の面位置となっており、アルミナコーティング膜が、上部電極板20の上下両面とともにアルミナピースの両端面をも連なって一様に覆っている。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内に配置され被処理体が載置される下部電極と、前記真空容器内に前記下部電極と相対して配置された上部電極板と、この上部電極板に設けられて前記真空容器内に反応ガスを導入する反応ガス導入孔とを備え、前記下部電極と前記上部電極板との間に反応ガスのプラズマを発生させて前記被処理体をプロセス処理する真空処理装置において、前記上部電極板の表裏両面に耐プラズマ性に優れた被膜が被覆されているとともに、前記上部電極板に筒状のセラミックピースが埋め込まれて前記反応ガス導入孔を構成していることを特徴とする真空処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L 21/302 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (3件)

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