半導体レーザ素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078443
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283039
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ素子において、活性領域の引張ひずみを低減してCODレベルを向上することにより、歩留まりを高くし、高信頼性を有し、高出力化を図る。【解決手段】電気エネルギーを光エネルギーに変換するための活性層3を有すると共に、一側へ突出するメサ構造部8を有する半導体結晶成長部30と、メサ構造部の上面に電気的に接続された電極膜12とを備え、電極膜12が引張ひずみを有してメサ構造部8より側方へ延びるように形成されており、メサ構造部8より側方へ延びる電極膜部分に重合しかつ圧縮応力を有するひずみ抑制膜13を形成する。

請求項（抜粋）：

電気エネルギーを光エネルギーに変換するための活性層を有すると共に、一側へ突出するメサ構造部を有する半導体結晶成長部と、前記メサ構造部の上面に電気的に接続された電極膜とを備え、前記電極膜が引張ひずみを有して前記メサ構造部より側方へ延びるように形成されている半導体レーザ素子において、前述したメサ構造部より側方へ延びる電極膜部分に重合しかつ圧縮応力を有するひずみ抑制膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/042 612

FI (2件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/042 612

Fターム (13件)：

5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073AA53 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AA86 , 5F073CA15 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA30 , 5F073EA23 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-142985
特開平2-257618
窒化ガリウム系半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-146786 出願人：シャープ株式会社

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