特許
J-GLOBAL ID：200903036911462249
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254784
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097850
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】本発明は、2層ゲート構造を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、フローティングゲートを形成するポリシリコン層が、ノンドープポリシリコン層/リンドープポリシリコン層/ノンドープポリシリコン層から形成されることを主要な特徴とする。【解決手段】半導体基板101上にセルゲート酸化膜102を形成した後、不純物を含まないポリシリコン層/不純物を含有するポリシリコン層/不純物を含まないポリシリコン層を順次堆積して第1のポリシリコン層を形成する。次に第1のポリシリコン層上にONO酸化膜を形成し、更にその上面に第2のポリシリコン層を形成する工程とを有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の酸化膜を形成する工程と、前記第1の酸化膜上に、不純物濃度の低いポリシリコン層/不純物を含有するポリシリコン層/不純物濃度の低いポリシリコン層を順次堆積してポリシリコン電極層を形成する工程と、前記ポリシリコン電極層上に第2の酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
