特許

J-GLOBAL ID：200903036927939576

窒化物半導体積層体及びその半導体素子

発明者： 牧本 俊樹 ,  熊倉 一英 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154581
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059938
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 エミッタ層から注入された電子をコレクタ層へ到達させることにより、高い電流利得を得ることが可能なトランジスタ構造を得ること。【解決手段】 p型InGaN層86とn型GaN層84の間には、In組成を0%から10%まで変化させたInGaNグレーデッド層85を挿入した。この薄膜構造は基板側から表面側にかけてバンドキャップを徐々に小さくした状態となっている。SiC基板81上にAlNバッファー層82を100nm成長し、オーミック電極形成用のSiドープGaN層83を成長した。その上に、SiドープGaN層(n型GaN層)84を成長した。さらに、In組成を変化させたInGaN層85を成長する。さらに、MgドープInGaN(p型GaN層)86を成長した。このようにして、ヘテロ接合ダイオードを作製した。

請求項（抜粋）：

窒化物化合物半導体で構成される窒化物半導体積層体において、基板側から表面側にかけてバンドキャップを徐々に変化させた構造を有するとともに、1×1018cm-3以上の高濃度のn型又はp型不純物がドーピングされ、かつ厚さが10〜100nmである窒化物半導体層を、前記基板側のn型層と前記表面側のp型層の間に挿入したことを特徴とする窒化物半導体積層体。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 H

Fターム (20件)：

5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BC01 ,  5F003BC02 ,  5F003BC04 ,  5F003BC90 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BG03 ,  5F003BG06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021557   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021557   出願人：日亜化学工業株式会社