特許
J-GLOBAL ID：200903020982163915

窒化物半導体素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223983
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【目的】 単一の横モードが得られて、閾値電流の低いレーザ素子を実現する。【構成】 p型窒化物半導体層、又はn型窒化物半導体層の少なくとも一方の層側に、InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1の組成、X値及び/又はY値を順次変化させることにより、活性層に接近するに従ってバンドギャップエネルギーが小さくなるように調整された窒化物半導体よりなる組成傾斜層、あるいは、膜厚100オングストローム以下の窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層された多層膜層よりなる組成傾斜層が形成されている。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層、又はn型窒化物半導体層の少なくとも一方の層側には、InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1の組成、X値及び/又はY値を順次変化させることにより、活性層に接近するに従ってバンドギャップエネルギーが小さくなるように調整された窒化物半導体よりなる組成傾斜層が形成されており、さらに最も活性層に接近した側にある組成傾斜層のバンドギャップエネルギーが活性層よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 M
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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