特許

J-GLOBAL ID：200903036938843082

電子素子

発明者： 西林 良樹 ,  今井 貴浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-340382
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108634
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 ダイヤモンド層内に形成された電子供給部からダイヤモンド層に容易に電子を供給することができる電子素子を提供する。【解決手段】 電子素子1においては、ダイヤモンド層6内に形成された電子供給部7は、アルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる1種類以上の金属元素を含有しているため、例えばCu等に比べ仕事関数が小さいものとなっている。このとき、ダイヤモンド層6の電子親和力は、例えばシリコン層に比べ小さいため、ダイヤモンド層6の伝導帯下端のエネルギー準位と電子供給部7において電子が存在するエネルギー準位とのギャップは小さくなっている。従って、電子供給部7からダイヤモンド層6の伝導帯に容易に電子を供給することが可能になる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド層と、 前記ダイヤモンド層内に形成され、前記ダイヤモンド層に電子を供給する電子供給部とを備え、 前記電子供給部は、アルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる1種類以上の金属元素を含有することを特徴とする電子素子。

IPC (1件)：

H01J1/304

FI (1件)：

H01J1/30 F

Fターム (9件)：

5C135AA02 ,  5C135AB06 ,  5C135AB11 ,  5C135AC03 ,  5C135AC29 ,  5C135FF23 ,  5C135GG10 ,  5C135HH06 ,  5C135HH20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085092   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター, 住友電気工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• ダイヤモンド半導体素子およびその電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156693   出願人：松下電器産業株式会社
• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276391   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター, 住友電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

• ダイヤモンド半導体素子およびその電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156693   出願人：松下電器産業株式会社
• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085092   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター, 住友電気工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276391   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター, 住友電気工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• “ダイヤモンド尖鋭エミッタ加工技術”

審査官引用 (1件)

• “ダイヤモンド尖鋭エミッタ加工技術”