特許

J-GLOBAL ID：200903036956612110

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法

発明者： 廣木 正伸 ,  小林 隆
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-206975
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032524
出願日： 2004年07月14日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】界面の急峻性等の品質に優れたInGaNチャネルまたは、高いバンドオフセットを持つバリア層を用いた窒化物半導体HFET構造の作製を可能とする、およびHFET構造の作製の再現性を向上する。【解決手段】窒化物半導体薄膜上に、InxGa1-xN(0≦x≦1)層を有し、その上に窒化物半導体中間層を有し、その上にAlN層を有する窒化物半導体素子構造とする。窒化物半導体薄膜上に、InxGa1-xN(0≦x≦1)層を有し、その上にAlN層を有する窒化物半導体素子構造とする。 InxGa1-xN層は組成の異なる多層膜とする。 窒化物半導体中間層は、GaN、もしくはAlN、もしくはAlxGa1-xN、もしくはそれらの多層膜である窒化物半導体素子構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体薄膜上に、InxGa1-xN(0≦x≦1)層を有し、その上に窒化物半導体中間層を有し、その上にAlN層を有することを特徴とする窒化物半導体素子構造。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (15件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-303739   出願人：日本電信電話株式会社