光起電力素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337139
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202231
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】半導体層の欠陥が少なく、膜厚の均一性も良好で、散乱光閉じ込め効果の機能も有し、半導体層と電極間において接合破壊防止やリーク電流・オーミックロスの低減が図られ、高生産性、素子間の特性の高均一性、高変換効率をもった光起電力素子を提供すること。【構成】表面が滑らかで、かつ、膜内部において局所的に屈折率の異なる領域が分布する薄膜からなる乱反射層を含むことを特徴とする。好ましくは、乱反射層が分相ガラスからなるか、結晶化ガラスからなるか。ほうろうからなる。乱反射層の局所的に屈折率の異なる領域の形成が、イオン注入によって行われる。乱反射層が粒界偏析している膜からなる。屈折率の異なる領域の大きさが10nm〜10μmが好ましく0.1μm〜1μmがより好ましい。乱反射層の表面粗さがRmaxで2μm以下が好ましくRmaxで1μm以下がより好ましい。

請求項（抜粋）：

表面が滑らかで、かつ、膜内部において局所的に屈折率の異なる領域が分布する薄膜からなる乱反射層を含むことを特徴とする光起電力素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 F , H01L 31/04 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

光起電力装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081715 出願人：キヤノン株式会社
特開昭53-023287
特開昭62-133403

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