特許
J-GLOBAL ID：200903036973090283
素子検査用プローブとその製造方法およびそれを用いた半導体素子検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227444
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】高さのばらつきや半導体素子基板の損傷を防止し、長期間の使用が可能であり、かつ、電極パッド材料の損傷を防止しつつ電気的導通を確保でする。【解決手段】先端部に略平坦面を備え、この略平坦面を半導体素子の電極パッド8に押圧し電気的導通を得て半導体素子の回路特性を検査する素子検査用プローブ1において、略平坦面の形状を-型とする。
請求項（抜粋）：
先端部に略平坦面を備え、この略平坦面を半導体素子の電極パッド面に押圧し電気的導通を得て前記半導体素子の回路特性を検査する素子検査用プローブにおいて、前記略平坦面の形状は、長手方向と幅方向とで寸法の異なる細長形状であるか、又は、長手方向と幅方向とで寸法の異なる細長特性をそれぞれ備えた複数の領域が各領域の前記細長特性を失わないように集合した形状となっていることを特徴とする素子検査用プローブ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
2G011AA10
, 2G011AA15
, 2G011AA21
, 2G011AB06
, 2G011AB08
, 2G011AC14
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA56
, 4M106DD03
, 4M106DD04
