半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051864
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246285
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】安価で高周波特性に優れた半導体装置の提供。【解決手段】半導体基板1,2上に形成された茎部171 と、前記半導体基板からの高さがソース側とドレイン側とで異なる笠部172 ,173 とを有しているT型構造のゲート電極17を備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された茎部と、前記半導体基板からの高さがソース側とドレイン側とで異なる笠部とを有しているT型構造のゲート電極を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/44 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

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