特許

J-GLOBAL ID：200903036984723067

インジウム-錫酸化物焼結体の製造方法

発明者： 竹内 友成 ,  石田 正 ,  蔭山 博之
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268236
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081673
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 透明導電膜作製のためのスパッタリング用ターゲットとして有用な大型のITO焼結体を短時間で製造可能な方法を提供する。【解決手段】インジウム及び酸素を含有する化合物と錫及び酸素を含有する化合物の混合物、又はインジウム、錫及び酸素を含有する化合物を原料として用い、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とするインジウム-錫酸化物焼結体の製造方法。

請求項（抜粋）：

インジウム及び酸素を含有する化合物と錫及び酸素を含有する化合物の混合物、又はインジウム、錫及び酸素を含有する化合物を原料として用い、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とするインジウム-錫酸化物焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/457 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 R

Fターム (12件)：

4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA23 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ITOスパッタリングターゲットとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310749   出願人：同和鉱業株式会社
• 酸化物微粒子の高密度焼結方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-127948   出願人：工業技術院長, 住友石炭鉱業株式会社
• 高密度MgO焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-301893   出願人：住友金属鉱山株式会社
• Bi4Ti3O12強誘電体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113824   出願人：住友特殊金属株式会社