特許
J-GLOBAL ID：200903036990102988
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303317
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127707
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィー工程を削減できるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 半導体層24とチャネル保護膜25との積層膜上に、ポジ型レジスト26を塗布し、第1フォトマスク27を用いて露光エネルギーの小さい第1の露光を行う。次に、第2フォトマスク28を用いて露光エネルギーの大きい第2の露光を行う。これにより、寸法の異なる2つのパターンを一体的に形成することができ、レジストパターンの幅の広い部分をプラズマ処理により除去することにより、2つのパターンをエッチングのマスクとして用いることが可能となる。このため、フォトリソグラフィー工程を削減することができ、生産性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
基体上にレジストを形成する工程と、前記レジストの第1領域を除く領域の上部のみを感光する第1露光工程と、前記第1露光工程の前後のいずれかに行なわれ、前記第1領域と前記第1領域に隣接された第2領域とを除く領域を感光する第2露光工程と、前記第1露光工程及び第2露光工程を行なった後、前記基体上に島状の第1レジストパターンと、前記第1レジストパターン上に前記第1レジストパターンより幅狭の第2レジストパターンを形成する現像工程と、前記第1レジストパターン及び第2レジストパターンをエッチングし、少なくとも前記第2レジストパターンの一部からなる第3レジストパターンを形成するエッチング工程を備えることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/039
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G03F 7/26 511
, G03F 7/039
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 C
, H01L 29/78 627 C
