特許
J-GLOBAL ID：200903037004853179

レジストパターン形成方法

発明者：
高宮 博幸

高宮 博幸 について

, 
鈴木 輝美

鈴木 輝美 について

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高坂 英治

高坂 英治 について


出願人/特許権者：
ニチゴー・モートン株式会社

ニチゴー・モートン株式会社 について


代理人 (1件)： 神谷 惠理子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-350678
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166313
出願日： 2006年12月26日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】 従来のソルダーレジスト組成物、特にソルダーレジストドライフィルムを用いてレジストパターン形成後、続いて良好な半田付け、金めっきを行なうことができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 回路形成された基板上にフォトレジスト層を積層し、露光、現像後、露出した回路部分にめっき処理を行なう前に80〜120°Cの温度で加熱処理(I)を行ない、更にめっき処理後にも加熱処理(II)を行なう。加熱処理(II)は、加熱処理(I)より高温で行なうことが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
回路形成された基板上にフォトレジスト層を積層した後、パターンマスクを通して露光し、現像により未露光部分を除去した後、露出した回路部分にめっき処理を行なうレジストパターン形成方法において、 前記現像後、前記めっき処理前に、80〜120°Cの温度で加熱処理を行ない、 更に、前記めっき処理後にも、加熱処理を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (4件)：
H05K 3/18 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/004 ,  H05K 3/24
FI (6件)：
H05K3/18 A ,  G03F7/40 ,  G03F7/004 512 ,  G03F7/004 501 ,  H05K3/18 D ,  H05K3/24 A
Fターム (45件)：
2H025AA14 ,  2H025AB11 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC14 ,  2H025BC43 ,  2H025CA01 ,  2H025CA09 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB43 ,  2H025CB55 ,  2H025CC08 ,  2H025CC12 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025EA08 ,  2H025FA17 ,  2H096AA26 ,  2H096BA05 ,  2H096CA16 ,  2H096EA02 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  5E343AA14 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343CC62 ,  5E343DD43 ,  5E343ER11 ,  5E343ER16 ,  5E343ER18 ,  5E343ER32 ,  5E343ER33 ,  5E343ER39 ,  5E343GG20
引用特許：
出願人引用 (3件)

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