特許
J-GLOBAL ID：200903037010067231

MOSトランジスタの製造方法

発明者：
向井 幹雄

向井 幹雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325867
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153944
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 良好なキャリア移動度をもった素子が得られ、しかもこれを容易で実用的な工程で実現できるMOSトランジスタの製造方法を提供する。【構成】 半導体基板上に突部を形成し、?@該突部の基部をLOCOS法やイオン注入法等により絶縁化して該突部を分離して半導体領域とし、?A該半導体領域の対向する面に第1及び第2のゲート電極を形成する、あるいは?A?@の順の工程を備えるMOSトランジスタの製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に突部を形成し、該突部の基部を絶縁化して該突部を分離して半導体領域とし、該半導体領域の対向する面に第1及び第2のゲート電極を形成する工程を備えることを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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