プラズマCVDによるアモルファスシリコンの成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山田義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067857
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283435
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【構成】プラズマCVD装置10において、ガス加熱ヒータ22によって、材料ガスをプラズマ領域26に導入する前に加熱する。【効果】基板20の温度を高くすることなしに光学ギャップを十分狭くすることができる。

請求項（抜粋）：

プラズマ領域にアモルファスシリコンを構成する材料ガスを導入するプラズマCVDによるアモルファスシリコンの成膜方法において、前記材料ガスを前記プラズマ領域に導入する前に加熱することを特徴とする、成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

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