高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393302
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192733
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【解決手段】式(1a)及び(1b)の繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>及びR<SP>2</SP>はH、F、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>3</SP>はF、又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>4</SP>は酸不安定基、密着性基、又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>5</SP>は酸素原子又は硫黄原子、R<SP>6a</SP>、R<SP>6b</SP>、R<SP>6c</SP>及びR<SP>6d</SP>は、H、OH、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>C(R<SP>7</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>8</SP>)、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>8</SP>、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>7</SP>はH、F、又はフッ素化されたアルキル基。R<SP>8</SP>はH、酸不安定基、密着性基、又はフッ素化されたアルキル基、0<a<1、0<b<1、0<a+b≦1、cは0又は1、0≦d≦6。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)及び(1b)の繰り返し単位を含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>及びR<SP>2</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>5</SP>は酸素原子又は硫黄原子である。R<SP>6a</SP>、R<SP>6b</SP>、R<SP>6c</SP>及びR<SP>6d</SP>は、水素原子、水酸基、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>C(R<SP>7</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>8</SP>)、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>8</SP>、又は置換基内に水酸基又はエーテル結合の形で酸素を含有可能な炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>7</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>8</SP>は水素原子、酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。0<a<1、0<b<1であり、0<a+b≦1である。cは0又は1である。0≦d≦6である。)

IPC (4件)：

C08F220/10 , C08F234/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4件)：

C08F220/10 , C08F234/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (73件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 4J100AL08P , 4J100AL16P , 4J100AL21P , 4J100AL26P , 4J100AR31Q , 4J100AR32Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA16Q , 4J100BA20P , 4J100BA20Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB12P , 4J100BB12Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC22P , 4J100BC22Q , 4J100BC23P , 4J100BC23Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC54P , 4J100BC54Q , 4J100BC58P , 4J100BC58Q , 4J100BC66P , 4J100BC66Q , 4J100BC79P , 4J100BC79Q , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-122435 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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