特許

J-GLOBAL ID：200903037027321948

光半導体装置及びその形成方法

発明者： 末永 良馬 ,  松岡 洋一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社 ,  富士機工電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023236
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223752
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】SMD(Surface Maunt Device)などとして利用される表面実装用の光半導体装置に係わり、特に小型化可能であり、信頼性の高い光半導体装置及びその形成方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、貫通孔が形成された絶縁性平板の一方の面側に設けられ該絶縁性平板よりも薄い薄板と、貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子と、絶縁性平板に設けられた光半導体素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂とを有する光半導体装置であり、特に薄板の表面は、少なくとも樹脂又は多孔質材料である光半導体装置である。

請求項（抜粋）：

貫通孔が形成された絶縁性平板の一方の面側に設けられ該絶縁性平板よりも薄い薄板と、前記貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子と、前記絶縁性平板に設けられた光半導体素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、前記キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂とを有する光半導体装置であって、前記キャビティ底面を構成する薄板の表面は、少なくとも樹脂又は多孔質材料であることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 31/02 B

Fターム (17件)：

5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA74 ,  5F041DA78 ,  5F041DA81 ,  5F088AA01 ,  5F088BA10 ,  5F088BA11 ,  5F088BA15 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10 ,  5F088LA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-242235   出願人：ソニー株式会社
• 薄型LEDドットマトリックスユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-138600   出願人：シャープ株式会社