特許
J-GLOBAL ID：200903037052162730
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254001
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332049
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 電解メッキにより形成された柱状電極を備えた半導体装置において、ウエハ状態のシリコン基板の種類に関係なく1つのメッキ装置で電解メッキを行うことができ、且つ、柱状電極の高さをより一層均一にする。【解決手段】 メッキ用トレー11として、長方形状の絶縁性基板12の上面のほぼ中央部にシリコン基板配置用凹部が設けられ、絶縁性基板12の上面においてシリコン基板配置用凹部及び所定の3辺部を除く領域に金属層14が設けられたものを用いる。そして、ウエハ状態のシリコン基板21をシリコン基板配置用凹部内に配置し、メッキレジストパターン34を形成し、金属層14等を一方のメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、シリコン基板21上に柱状電極を形成する。この場合、シリコン基板21の周囲における金属層14上にダミー柱状電極が形成されるようにする。
請求項（抜粋）：
金属層が形成されたトレーの一面に、下地金属層を有する半導体基板を配置し、前記トレーに形成された金属層と前記半導体基板の下地金属層とを導電部材で接続して前記半導体基板に電解メッキを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/288 E
