特許
J-GLOBAL ID：200903037058244224

半導体装置のスイッチ信号発生器及び同期型SRAM

発明者：
柳鶴洙

柳鶴洙 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001067
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255476
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】全ての入出力データパスを一括してセッティングするスイッチ信号発生器及びそれを用いた高速同期型SRAMを提供する。【解決手段】スイッチ信号発生器は、制御信号及び複数の入力信号を受けて複数のスイッチ信号を発生し、この複数のスイッチ信号のうち最初のスイッチ信号がイネーブルされる際に、最後のスイッチ信号まで逐次且つ完全にイネーブルさせる。また、同期型SRAMは、出力データパス/データ貯蔵部と、入力データパス/データ貯蔵部と、パススイッチ制御部とを備える。この同期型SRAMにおいては、前記スイッチ信号発生器を用いて構成されたパススイッチ制御部において、バースト動作の開始と同時に全てのバーストオーダーがセッティングされ、パススイッチ制御部からの出力信号であるスイッチ制御信号に応じて出力データパス/データ貯蔵部及び入力データパス/データ貯蔵部の全てのデータパスが一括してセッティングされる。
請求項（抜粋）：
第1及び第2制御信号と複数の入力信号とを受けて論理動作を行い最初のスイッチ信号を出力する第1論理手段と、前記最初のスイッチ信号と前記第1制御信号とを入力として最後のスイッチ信号まで順々に出力し、前記最初のスイッチ信号がイネーブルされる際に前記最後のスイッチ信号まで順々に全てイネーブルさせる第2論理手段と、を備えることを特徴とする半導体装置のスイッチ信号発生器。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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