ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097975
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276657
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】通常露光時に於ける、パターン現像後のレジスト膜厚減少、及び、パターンプロファイル劣化が改善され、更には、液浸露光時に於ける、液浸液へのレジスト成分の溶出が改善され、液浸露光後のレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(F)塩基性基を有する界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(C)塩基性基を有する界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 504 , H01L21/30 502R

Fターム (11件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025FA03

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭57-153433号公報
パターン形成方法及びその露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008136 出願人：株式会社日立製作所
特公昭63-49893号公報

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