特許

J-GLOBAL ID：200903037079942363

強誘電体薄膜キャパシタの製造方法

発明者： 西岡 泰城
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178819
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055967
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程で頻繁に使用されるスパッタ法や電子ビーム蒸着法を用いても、リーク電流が増加しない強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 スパッタ法や電子ビーム蒸着法等により強誘電体薄膜(5)の表面に上部電極(6)を形成した後に、酸化性雰囲気中で熱処理し、前記強誘電体薄膜の酸素空孔をアニールすることにより、リーク電流が小さく歩留りが高いキャパシタ用強誘電体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜を有するキャパシタにおいて、前記強誘電体薄膜の表面に上部電極を形成した後に、酸化性雰囲気中で熱処理し、前記強誘電体薄膜の酸素空孔をアニールすることにより、リーク電流を減少させる工程を含むことを特徴とする強誘電体薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035838   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099773   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション